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当电池电量耗尽后 & 输出为0V时，此时接上充电器，会有概率无法开机。原因及解决方案说明如下：
通常情况下，GR551x CHIP_EN默认接到VBATL电源上，通过RC延时电路进行复位延时，达到上电时序要求如图1为GR551x上电时序图。
图1：GR551x上电时序曲线图
当GR551x在手表手环等电池供电的应用中，搭配使用不带路径管理的charger，在电池放电到0v（长期的船运或仓储电池自放电导致）后，再次进行充电，会出现GR551x无法开机，产品无法使用的情况。
图2：不带路径管理charger 0v充电电路无法启动风险设计框图
具体原因为电池放电至0v后进行充电，VBATL与CHIP_EN在涓流预充电过程中缓慢上升，VBATL电压等于CHIP-EN电压，在VBATL / CHIP_EN到达1v后，系统复位完成。当VBATL 电源到达1.45v附近POR释放，系统开始启动。此时IO-LDO-OUT只有1.45v，内部flash 无法正常工作，导致系统无法开机。
图3：GR551x 0v 充电异常无法启动时曲线图
如下使用带路径管理 charger的时候，当系统开始充电（通常为USB 输入），USB端口供电通过Qbypass 及Qrvs路径给到SYS 输出供电，同时Qswitch 控制电池充电，即做到了充电路径及系统供电独立管理。当充电开始时，SYS 会瞬间提升到预设电压，对于GR551x VBATL 会瞬间达到工作电压以上，CHIP_EN 会由于RC 的存在进行充电，满足上电时序，可正常工作。
图4：带路径管理的charger应用图
-路径管理：
在没有焊接电池或者电池电压为0v时候，charger外部接入电源，Vsys依然会有电压而且通常可以编程控制Qbypass 或Qrvs输出电压大小给SOC供电，同时控制Qswitch输出给电池充电。
—动态路径管理：
增加Qswitch体二极管控制开关，当Vin的带载能力下降时候，若system load负载突然增加，Vin输入电流不足以供给system load，则charger控制Qswitch体二极管打开，让BAT和Vin同时给System load供电，保证SYS电压稳定。
如下图动态路径管理事件， Vin提供的最大电流固定，charger会动态分配Isys的电流和Ibat的电流，当Isys电流逐渐增大，给电池的充电电流会随着Isys的增大逐步减小。当Isys达到一定值导致Vsys电压跌落到预设值，则停止给电池充电，让电池和Vin一起提供电流给System load稳定Vsys电压。
图5：Charger动态路径管理事件示意图
Ping
通常设计中，电池通过LDO转换成恒定的3.3v 给GR551x供电，对于部分LDO 带有使能控制引脚，且使用无路径管理的charger，可通过控制LDO的的使能，在电池电量达到预设值（系统可正常工作）后开启LDO，系统进行正常启动。
如图9所示，当系统充电时， Vg电压由Ra、Rb分压决定，Q2 Vs电压为电池电压，随充电进程逐渐升高，当电池电压升到满足Vgs导通值后，Q1导通，LDO EN电压等于Vbat，此时LDO工作，GR551x正常启动。
若配置Rc=Rd，即Vg 电压设置为2.5V，则0v充电时MOS管打开的条件为：Vbat ≥ 2.5V+|Vgs(th)|。
充电时Q2状态及CHIP_EN电压：
• Vbat ＜2.5V+|Vgs(th)|时，Vgs未到开启阈值电压，PMOS处于截止状态，CHIPEN=0；
• Vbat ≥2.5V+|Vgs(th)|时候Vgs达到开启阈值电压，PMOS处于导通状态，CHIPEN=Vbat电压。
图9：通过MOS管控制LDO EN 的示意图
当系统正常工作未充电时，USB 无电源提供，Q2 Vg电压由下拉电阻Rd决定即0v，MOS处于导通状态，LDO EN等于电池电压。
电压计算参考如下：
Vg=Vusb * Rb / (Ra + Rb)
部分器件选型参考：
| Q1 | Vgs(th) | Id(uA) | Rds(on) @Vgs=-2.5V | Footprint Reference | Vendor | |
| CJBB3139K | ＞-0.35V @ typical | -0.66 | 780 mΩ | DFN1006-3L-A | JSET | PMOS |
| NTK3139P | ＞-0.45V @ typical | -1 | 520 mΩ | SOT-723 | ON Semiconductor | PMOS |
备注说明：
Q1 为P MOS;
Rc、Rd阻值可根据Q2 参数进行调整；
Re建议预留，配置LDO初始状态。若Re贴片，Re会有漏电流 I=Vbat/Re，会增加系统功耗。
如图10所示，当系统充电时，LDO EN电压由R5、R6分压决定，随充电进程电池电压逐渐升高，当R5、R6分压值达到LDO EN 阈值后，此时LDO开启，GR551x正常启动。
R5、R6分压要根据LDO EN 电压来合理选择，同时保证系统启动时满足电池及charger的带载能力。
图10：通过电阻分压控制LDO EN 的示意图
备注说明：
R5、R6上拉电源为电池，会产生静态电流I=BAT/(R5+R6)，系统功耗增加，需合理选择电阻值以满足系统功耗要求。
不同LDO 的使能电压点不同，R5、R6 需要根据不同的LDO进行合理选择。
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若charger不带路径管理，如下图所示参考，可通过增加外部电路达到路径管理的目的。
图6：不带路径管理charger 充电优化方案
—未充电等效电路：
在不充电时，电池通过Q1体二极管导通至LDO输入端，提供给Vs 高电压，同时Rb下拉即Q1 Vg电压为0v，Q1完全导通。电池为后级系统如LDO供电， D1形成防反二极管，防止漏电。
图7：未充电时电池供电等效路径
—充电时等效电路：
在充电时，USB供电通过D1（假定0.7v压降）二极管后直接输出给系统如LDO 供电。Q1 Vg通过Ra、Rb（假定Rc=4.7kΩ、Rd=47KΩ）分压为4.54v，Q1 Vs电压通过D1二极管形成的压降为4.3v，此时Vgs 为0.24v ,Q1处于截止状态，电池处于充电状态，不会进入放电状态。
在电池充满时，Vsd为0.1v ,Q1内部二极管也无法导通，Q1仍处于截止状态，电池也无法给系统供电。系统供电由外部USB电源提供。
图8：充电及充满时供电级充电路径
电压计算参考如下：
Vg = Vusb * Rb / (Ra+Rb) = 4.54v
Vs = Vusb – Vdiode = 4.3v
Vd = Vbat = 4.2v (Max)
Vgs = Vg - Vs = 0.24v
Vsd (min) = Vs – Vd (Max) = 0.1v
部分器件选型参考：
| Q1 | Vgs(th) | Id(uA) | Rds(on) @Vgs=-2.5V | Footprint Reference | Vendor | |
| CJBB3139K | ＞-0.35V @ typical | -0.66 | 780 mΩ | DFN1006-3L-A | JSET | PMOS |
| NTK3139P | ＞-0.45V @ typical | -1 | 520 mΩ | SOT-723 | ON Semiconductor | PMOS |
| D1 | Vf | Ir | Footprint Reference | Vendor |
| 1N4148WT | 0.715V @ typical | 1uA @Vr =75 v | SOD-523 | DIODES |
| BAS716 | 0.77V @ typical | 5nA @Vr =75 v | SOT-523 | NXP |
备注说明：
D1为二极管，根据系统供电要求合理选择合适压降的二极管；
Ra、Rb阻值根据Q1 参数进行调整；
Ra 也可以配置成0R 或短路连接，节省一颗物料；
USB充电适配器电流带载能力大于系统电流与充电电流之和。
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