GR551X PLT Lite离线下载工具(V1.0.0.6)中“基础功能配置”中的efuse相关项配置说明如下，该模块配置项与产品型号及硬件设计强相关，并且efuse是一次性写入存储介质，写入后无法修改，因此请务必谨慎配置：

1. Inductance为DC-DC电感参数设置项（如下图L4），需要结合硬件设计配置，硬件设计推荐采用2.2uH电感方案，因此默认不勾选，选择2.2uH电感；

2. IOLDO_Selector设置项，内部LDO(IO_LDO_OUT引脚)输出电平选择，只有当选择内部LDO输出3V时才勾选；

(1). 内置低压(1.65V ~ 2V)Flash型号(GR5515RGBD/GR5515GGBD/GR5515IGND/GR5513BEND)默认设置为1.8V(不勾选)；

(2). GR5515I0NDA外接3.3V高压Flash，推荐采用外部3.3V供电，外接

1.8V 低压Flash选择1.8V供电，因此该项默认选择1.8V(不勾选)， 禁止用内部LDO输出3.3V给Flash供电设计方案(详情参考原理图设计说明)；

(3). GR5515I0ND出厂已默认设置 IOLDO_Selector为1， 只能外接3.3V高压Flash并采用外部3.3V供电，因此工具需要勾选，否则工具测试报错—工具设置与efuse内部不一致；

(4). GR5515BENDU/GR5515IENDU内置宽压(1.65V ~ 3.6V)Flash，根据VDDIO0域IO电平应用选择Flash工作电压，当选择1.8V电平时采用内部LDO供电，当选择3.3V电平时推荐采用外部供电，禁止采用内部LDO输出3.3V给高压Flash供电设计方案(详情参考原理图设计说明)，因此该项默认选择1.8V(不勾选)；

3. IO_PWR_SRC设置项，硬件电路设计使用外部电路供电才勾选，例如GR5515I0ND/GR5515I0NDA 外接高压3.3V Flash供电应用，硬件电路采用内部LDO供电都不勾选；

4. IO_LDO_Bypass设置项，只有GR5515I0NDA才有效，勾选该参数后等同于GR5515I0ND，其它型号禁止设置该配置项；